SOI芯片光电探测器阵列-四川梓冠光电科技有限公司

SOI芯片光电探测器阵列

特性

多通道，高集成度芯片化，大模拟带宽

应用

光纤传感，光纤通信，激光雷达

详细信息

SOI芯片光电探测器阵列

SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

特性

应用

规格参数

参数指标 Parameters	单位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	备注 Notes
波长范围 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗电流 Dark current	nA	35		50
3 dB模拟带宽 3 dB bandwidth	GHz			28
光饱和功率 Optical saturation power	mW	10
响应度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光学混频器损耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道数 Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纤接入损耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相关损耗 PDL	dB	≤0.3
工作温度范围 Operating temperature range	°C	-20		50
工作湿度范围 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)

芯片尺寸

订货信息

波长

Wavelength

通道数

Number of channels

类型

Type

13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

1=光电探测器

1=PD

2=混频器

2=Mixer

XX=other

为您推荐: 硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片

硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片

梓冠光电的单片集成多比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时回路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到1μs以下，硅波导延时使其延时精度提升1个量级，厚膜SOI硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。

单片集成 6 比特光延时芯片

梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。