400~1800nm光电探测器

400~1800nm光电探测器是一种能将该波段（覆盖可见光至近红外及部分短波红外）的光信号转换为电信号的半导体器件。其核心材料包括硅（Si，400~1100nm）、铟镓砷（InGaAs，800~1700nm，扩展后可达2700nm）和锗（Ge，800~1800nm），通过光生载流子效应实现光电转换。

二、400~1800nm光电探测器特点：
波长超宽范围
高响应度
量子效率
快速响应
高带宽
结构多样化
抗干扰能力强

三、400~1800nm光电探测器应用领域：
光通信系统
光学相干断层扫描（OCT）
激光雷达（LiDAR）
大气污染检测
导弹制导
光谱分析

四、400~1800nm光电探测器参数：

五、400~1800nm光电探测器最大额定值

六、400~1800nm光电探测器典型光谱强度分布
光电二极管的响应率是衡量其对光的敏感度的指标，定义为在给定波长下，光电流IP与入射光功率P之比：

换言之，它是衡量光能转换为电流效率的指标。响应率因批次不同而有所差异，并且会随着入射光的波长、施加的逆向偏压以及温度的变化而变化。由于光电二极管中电荷收集效率的提高，响应率会随施加的逆向偏压略有增加。温度的变化会增大或减小带隙的宽度，并且与温度成反比。

七、400~1800nm光电探测器参考电路

八、400~1800nm光电探测器结构图

九、四川梓冠光电400~1800nm光电探测器订购信息