硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片

特性

高速切换(100~200ns)、高延时精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可达)、超小尺寸、超宽带工作、全固态波导芯片可靠性强、大时延范围(~2ns 可达)、高功率耐受度( 23dBm 典型值)

应用

光控相控阵系统、超宽带光域信号处理

产品咨询
详细信息

硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片

 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片,光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段,具有极低的串扰和极高的非目标时延信号消光比。最大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度减小系统体积;由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比,光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力,适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。

硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片特性

  • 高速切换(100~200ns)
  • 高延时精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可达)
  • 超小尺寸
  • 超宽带工作
  • 全固态波导芯片可靠性强
  • 大时延范围(~2ns 可达)
  • 高功率耐受度( 23dBm 典型值)

硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片应用领域

  • 光控相控阵系统、超宽带光域信号处理

硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片主要性能指标

性能指标Parameter

单位Unit

典型值Typ.

备注Notes

工作波长Operationwavelength

nm

1530-1570

 

延时位数Delay bits

/

9

可定制Can be customized

最小延时步进Min.step-delay

ps

2

可定制Can be customized

可调节最大延时量Adjustable max.delay

ps

1022

 

延时精度Time-delay accuracy

 

ps

±0.5

≤16ps 延时量 delay time

±1

18~64ps 延时量delay time

±2

66~512ps 延时量delay time

±3

514~1022ps 延时量delay time

延时切换时间Delay switching time

ns

200

 

插入损耗Insertion loss

dB

11

13dB max

各延时态损耗差异Delay state loss difference

dB

±1

 

最大耐受光功率Max. tolerance opticl power

dBm

23

26dBm max

回波损耗Return loss

dB

45

 

芯片尺寸Chip dimension

mm

20×15×0.7


芯片尺寸(单位:mm)示意图

硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片尺寸图


四川梓冠光电生产的硅基器件芯片系列包括:硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片、硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片、单片集成 6 比特光延时芯片、SOI芯片可调光滤波器阵列、SOI芯片光电探测器阵列、SOI高速多通道光衰减器、SOI高速光开关阵列等,欢迎咨询!

返回列表
为您推荐