SOI芯片光电探测器阵列
特性

多通道,高集成度芯片化,大模拟带宽

应用

光纤传感,光纤通信,激光雷达

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SOI芯片光电探测器阵列


SOI芯片式光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

SOI芯片光电探测器阵列特性

  • 多通道
  • 高集成度芯片化
  • 大模拟带宽
SOI芯片光电探测器阵列应用领域
  • 光纤传感
  • 光纤通信
  • 激光雷达

SOI芯片光电探测器阵列规格参数

参数指标

Parameters

单位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

备注

Notes

波长范围

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

 

暗电流

Dark current

nA

35

 

50

 

3 dB模拟带宽

3 dB bandwidth

GHz

 

 

28

 

光饱和功率

Optical saturation power

mW

10

 

 

 

响应度

Responsibility

A/W

0.8

 

0.85

 

90度光学混频器损耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7

 

90度光学混频器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5

 

 

 

通道数

Number of channels

 

8或可定制

8 or Can be customized

 

光纤接入损耗

Insertion loss

dB

≤0.5

 

偏振相关损耗

PDL

dB

≤0.3

 

工作温度范围

Operating temperature range

°C

-20

 

50

 

工作湿度范围

Operating humidity range

%

 

 

+65

 

芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)


芯片尺寸

SOI芯片光电探测器阵列芯片尺寸图

四川梓冠光电SOI芯片光电探测器阵列订货信息

ZG

波长

Wavelength

通道数

Number of channels

类型

Type

 

13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

 

 

1=光电探测器

1=PD

2=混频器

2=Mixer

XX=other




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